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其次，作为传统热压键合与凸点键合的升级方案，混合键合技术（尤其 Cu-Cu 混合键合）通过金属与介电质的同步键合，将互连间距从传统方案的 40μm 压缩至 1-2μm，每平方厘米可实现百万级连接点，使芯片间数据传输带宽提升一个数量级，同时降低寄生电阻与功耗，成为 3D IC 堆叠、HBM 制造等高端封装场景的必选技术。上文四大先进封装技术也对混合键合技术提出明确需求，比如3D 封装作为其核心刚需场景，“垂直堆叠” 架构依赖混合键合实现层间直接互连；Chiplet 封装向高端化进阶过程中，AMD 等处理器通过混合键合解决芯粒间带宽瓶颈。
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